活動日期
2023/10/03(二),09:00-10:30(視)
活動資訊
■語言：中文演說。
■內容：
為了利用SiC和GaN等寬能隙（WBG）半導體材料，實現兼具節能高效化和小型輕量化的功率設備，封裝的長期可靠度是至關重要的。因此，為確保WBG功率設備即使暴露於200℃至300℃高溫環境內也能正常運作，必須開發出相應的散熱材料、結構和冷卻技術，並評估其可靠度。在本課題中，我們將介紹具有高耐熱性和高導熱性的燒結銀膏，並總結與不同異質材料的接合特性、接合結構的新發展以及結構可靠性結果，這將有助於下一代功率半導體的封裝可靠度和新封裝材料的開發。
1. WBG功率半導體
1.1 WBG功率半導體的特點
1.2 WBG功率模組的結構及發展趨勢
2. 因應高溫的封裝技術
2.1 無鉛焊料和固液互相接合
2.2 金屬粒子燒結接合
3. 銀粒子燒結接合技術和異質材料界面的接合
3.1 銀粒子燒結接合技術的特點
3.2 新型微米級銀粒子的低溫燒結
3.3 異質材料界面接合及機制
4. 高散熱功率模組結構的開發
4.1 全銀燒結接合的散熱性能評估
4.2 銀燒結的可靠度評估和退化特性
5. 大面積接合
5.1 低溫低壓大面積銅─銅接合
5.2 銅─銅接合可靠度評估
■主講人
日本學界教授（中文演講）
■地點規劃：
✓線上視訊
活動辦法
■報名洽詢：(02)2536-4647#10張小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案：5,500、4,000、3,500、3,000元/1、2、3、5人
※ 請於開課日期【前7天完成繳費】，中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※
目前不在報名受理期間