對記憶體、微處理器等半導體的高集成化要求，隨著行動裝置、資訊設備的高性能化而日益增大，至2022年3nm的邏輯節點（最小圖型12nm）已經啟動。本課題首先敘述發展路線圖，然後針對支援3nm邏輯節點以後的EUV微影、光阻劑之最新技術與未來趨勢，解說其基礎知識、要求特性、面對的課題和解決對策等。同時將詳細說明在EUV光阻中備受關注的金屬光阻之內容。
最後，介紹在最先進的量產製程中所使用的光阻微影成像技術(photoresist lithography)，並總結提出對今後的展望、以及市場趨勢的看法。
1.發展藍圖
1.1 IRDS路線圖(International Roadmap for Devices and Systems)
對微影的要求特性、對光阻、微細加工用材料的要求特性
1.2 因應微細化的微影技術選項
2. EUV微影的最新技術 (Extreme Ultra Violet Lithograph,極紫外光微影)
2.1 EUV微影的特徴
2.2 EUV微影的基礎與課題：曝光裝置、光源、遮罩(Mask)、製程(Process)
2.3 EUV微影的話題與今後的趨勢
3. EUV光阻劑的最新技術
3.1 EUV光阻劑的基礎
3.1.1 EUV光阻劑的反應機制
3.1.2 EUV光阻劑的要求特性
3.1.3 EUV光阻劑的設計方針：EUV光阻用聚合物、EUV光阻用產酸劑
3.2 EUV光阻劑的課題和對策
高感度/解析度/粗糙度的取捨(trade-off)、隨機缺陷(Stochastic Effects)
3.3 EUV光阻的動向
3.3.1分子光阻
3.3.2負型光阻
3.3.3使用聚合物結合型產酸劑(polymer-bound acid generator)的化學增幅型光阻
3.3.4含氟聚合物光阻
3.4 EUV金屬光阻：金屬光阻的特徴、金屬光阻的性能、金屬增感劑
3.5 EUV光阻劑今後的趨勢
4. 光阻微影成像技術(Photoresist lithography)的最先進技術
4.1雙重/多重圖案化製程(Double/Multi patterning)
兩次/多次圖案化的基礎與課題、微影-蝕刻(LE)製程、自對準(SA, self-aligned)製程
4.2. 定向自組織化微影(DSA, directed self-assembly)
4.2.1 自組織化微影的基礎與課題
4.2.2 圖型外延(grapho-epitaxy)用材料
4.2.3 化學外延(chemical-epitaxy)用材料
4.2.4 最新高χ (Kai) 嵌段共聚物(Block copolymers)
4.3. 奈米壓印微影術 (NIL, nano imprint lithography)
4.3.1 奈米壓印微影的基礎與課題
4.3.2 加壓式奈米壓印微影用材料
4.3.3 光硬化式奈米壓印微影用材料
5. 微影、光阻的未來技術展望
6. 光阻劑市場動向
日本學界專家，專長於IC製造、量子/高分子化學／1983年起在Panasonic(株)半導體研究中心、工程開發中心，從事半導體光刻工程、光刻膠、微細加工用材料的開發。退休後在大阪大學從事EUV光刻膠的研究開發。