活動日期
2023/10/26(四),09:00-16:30(北+南+視)
活動資訊
■主辦單位：經濟部產業發展署
■委託單位 : 財團法人資訊工業策進會
■承辦單位 : 台灣區電機電子工業同業公會
■執行單位：三建資訊有限公司
■計畫年度：112年智慧電子人才應用發展推動計畫
■學員資格：本國籍人士出席率8成且課後進行隨堂測驗、繳交學員基本資料表、個資同意書，方可適用補助。結訓學員應配合經濟部工業局培訓後電訪調查。
■招收人數：本班預計20人為原則，依報名及繳費完成之順序額滿為止。
■語言：日文演說，中文逐步口譯。
■內容：
09:00 - 12:00
（一）邁向異質整合的尖端封裝開發動向與課題
介紹日本先端封裝製造商的動向，及先端封裝的發展趨勢與課題。解說備受矚目的Chiplet小晶片內容和課題，以及東工大的小晶片整合平台聯盟的發展動向(Chiplet Integration Platform Consortium)。最後，解說日本經濟產業省的尖端封裝戰略及台灣和九州的關係。
1. 何謂異質整合路線圖 (Heterogeneous Integration Roadmap)
2. 先端封裝的定義
3. 先端封裝的發展趨勢和課題
3.1 封裝基板
3.2 層間絕緣膜
4. 日本先端封裝製造商的動向(此項議題保留，不一定納入簡報內容。或請學員自行QA提問)
5. 日本chiplet的開發動向
5.1 chiplet的定義
5.2 chiplet積體化課題
5.3 chiplet積體化案例
5.4 日本國內各種小晶片聯盟平台，例如：東京工業大學小晶片整合平台聯盟
5.5 日本經濟產業省的先端封裝戰略
13:30 - 16:30
（二）宇宙輻射環境下對半導體產品的影響（抗輻射性）
當半導體產品受到宇宙輻射照射時，電離效應和位移損傷會導致電路故障和裝置特性劣化。本課題將介紹其發生機制和增強輻射耐受性的主要技術。
1. 各類輻射對材料的影響
2. 輻射對半導體產品的影響
2.1 總電離劑量效應 (Total Ionizing Dose Effect) 及耐受性增強技術
2.2 單一事件效應 (Single Event Effect) 及耐受性增強技術
2.3 位移損傷
3. 總結
■主講人
(一)日本業界專家／1980至2020期間分別任職於 德州儀器、PMT(株)。在TI期間主要擔任半導體中心高級主任工程師，且領導東南亞半導體後段工程自動化項目。在PMT(株)期間從事產總研國家項目(小型化)，及FOWLP試製。
(二)日本學界專家／專長於搭載衛星的半導體元件、抗幅射性
■地點規劃：
✓台北會議室
✓台南會議室
✓線上視訊（限3位以上團報)
活動辦法
■報名洽詢：(02)2536-4647#10張小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案
經濟部產業發展署補助4,000元，學員自付6,000元、5,000元、4,500元/1、2、3人
※參加線上視訊，限3位以上團報。
※ 請於開課日期【前7天完成繳費】，中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※
目前不在報名受理期間