【日本專家】低溫ALD原子層沉積製程與應用(採用高純度臭氧)研討會

活動日期
2022/10/17(一),13:00-16:00

活動資訊

■形態線上,MS Teams雲端會議室
■語言:日文演說,中文逐步口譯。
■內容

近年、ALD成膜之適用範圍不僅侷限於半導體製程,更擴大至各種製品。且因成膜對象物之耐熱性制的低溫化需求,以及具有凹凸形狀材質的被覆需求,同時考量量産所需生産性及運轉成本觀點,ALD成模至為必要。ALD的氧化來源為水或氧電漿或臭氧等其他物質,而本演講將介紹使用高純度臭氧的ALD。高純度臭氧其臭氧濃度高,而且相較以往臭氧產生機所生成的臭氧氣體,其重金屬不純物較少之高純度之氣體。此外,高純度臭氧氣體的特色是低溫下臭氧之間不易產生反應衝突に現象,因此不容易導致分解成氧氣氣體的反應,因壽命長可適應各種爐的大小將高純度臭氧供給至基板表面。因此本演講也將講述高純度臭氧氣體特色及與其他氧化方式之差異。

1.高純度臭氧之特色
 1.1.與以往臭氧之差異
 1.2 高純度臭氧的生成方式
 1.3 處理氣體時的壓力範圍與裝置安全性
2.ALD製成以外之高純度臭氧適用案例
 2.1 分子束磊晶
 2.2 化學氣相層積
 2.3 表面親水化(臭氧-乙烯 RADICAL生成技術)
3.高純度臭氧ALD(PO-ALD)製程概要
 3.1 PO-ALD特色(相較其他氧化來源之優缺點)
 3.2 PO-ALD之裝置組成(相較以往臭氧ALD或高溫ALD裝置組成之差異)
 3.3 適合PO-ALD成模的材質・形狀
4.PO-ALD膜種類別 成膜及膜質案例
 4.1 Al2O3膜
 4.2 TiO2膜
 4.3 SiO2膜
 4.4 其他
5.適用的應用案例
6.總結
 
(註:臭氧之「高純度」,不一定列入實際簡報介紹內容)
 
■主講人
亀田 直人/日本明電NPI技術開發部 主管技師 工學博士

 

活動辦法
■報名洽詢:(02)2536-4647#10吳小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案
-方案A:報名費1,500元(來1贈,不限人數)。
※1筆報名費提供彩色版講義1本※
贈送免費名額,仍須線上報名。
※ 請於開課日期【前5天完成繳費】※
※【 匯款ATM繳費】中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※

目前不在報名受理期間

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