三建技術課程 - 【日本專家】低溫ALD原子層沉積製程與應用（採用高純度臭氧）研討會

【日本專家】低溫ALD原子層沉積製程與應用（採用高純度臭氧）研討會

活動日期

2022/10/17(一),13:00-16:00

活動資訊

■形態：線上，MS Teams雲端會議室
■語言：日文演說，中文逐步口譯。
■內容：

近年、ALD成膜之適用範圍不僅侷限於半導體製程，更擴大至各種製品。且因成膜對象物之耐熱性限制的低溫化需求，以及具有凹凸形狀材質的被覆需求，同時考量量産所需生産性及運轉成本觀點，ALD成模至為必要。ALD的氧化來源為水或氧電漿或臭氧等其他物質，而本演講將介紹使用高純度臭氧的ALD。高純度臭氧其臭氧濃度高，而且相較以往臭氧產生機所生成的臭氧氣體，其重金屬不純物較少之高純度之氣體。此外，高純度臭氧氣體的特色是低溫下臭氧之間不易產生反應衝突に現象，因此不容易導致分解成氧氣氣體的反應，因壽命長可適應各種爐的大小將高純度臭氧供給至基板表面。因此本演講也將講述高純度臭氧氣體特色及與其他氧化方式之差異。

１．高純度臭氧之特色

　1.1.與以往臭氧之差異

　1.2 高純度臭氧的生成方式

　1.3 處理氣體時的壓力範圍與裝置安全性

２．ALD製成以外之高純度臭氧適用案例

　2.1 分子束磊晶

　2.2 化學氣相層積

　2.3 表面親水化（臭氧-乙烯 RADICAL生成技術）

３．高純度臭氧ALD（PO-ALD）製程概要

　3.1 PO-ALD特色（相較其他氧化來源之優缺點）

　3.2 PO-ALD之裝置組成（相較以往臭氧ALD或高溫ALD裝置組成之差異）

　3.3 適合PO-ALD成模的材質・形狀

４．PO-ALD膜種類別　成膜及膜質案例

　4.1 Al2O3膜

　4.2 TiO2膜

　4.3 SiO2膜

　4.4 其他

５．適用的應用案例

６．總結

（註：臭氧之「高純度」，不一定列入實際簡報介紹內容）

■主講人

亀田直人／日本明電NPI技術開發部　主管技師工學博士

活動辦法

■報名洽詢：(02)2536-4647#10吳小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案
-方案A：報名費1,500元（來1贈多，不限人數）。

※1筆報名費提供彩色版講義1本※

※ 贈送免費名額，仍須線上報名。※

※ 請於開課日期【前5天完成繳費】※
※【匯款ATM繳費】中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※

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