活動日期
2022/10/17(一),13:00-16:00
活動資訊
■形態：線上，MS Teams雲端會議室
■語言：日文演說，中文逐步口譯。
■內容：
近年、ALD成膜之適用範圍不僅侷限於半導體製程，更擴大至各種製品。且因成膜對象物之耐熱性限制的低溫化需求，以及具有凹凸形狀材質的被覆需求，同時考量量産所需生産性及運轉成本觀點，ALD成模至為必要。ALD的氧化來源為水或氧電漿或臭氧等其他物質，而本演講將介紹使用高純度臭氧的ALD。高純度臭氧其臭氧濃度高，而且相較以往臭氧產生機所生成的臭氧氣體，其重金屬不純物較少之高純度之氣體。此外，高純度臭氧氣體的特色是低溫下臭氧之間不易產生反應衝突に現象，因此不容易導致分解成氧氣氣體的反應，因壽命長可適應各種爐的大小將高純度臭氧供給至基板表面。因此本演講也將講述高純度臭氧氣體特色及與其他氧化方式之差異。
１．高純度臭氧之特色
1.1.與以往臭氧之差異
1.2 高純度臭氧的生成方式
1.3 處理氣體時的壓力範圍與裝置安全性
２．ALD製成以外之高純度臭氧適用案例
2.1 分子束磊晶
2.2 化學氣相層積
2.3 表面親水化（臭氧-乙烯 RADICAL生成技術）
３．高純度臭氧ALD（PO-ALD）製程概要
3.1 PO-ALD特色（相較其他氧化來源之優缺點）
3.2 PO-ALD之裝置組成（相較以往臭氧ALD或高溫ALD裝置組成之差異）
3.3 適合PO-ALD成模的材質・形狀
４．PO-ALD膜種類別 成膜及膜質案例
4.1 Al2O3膜
4.2 TiO2膜
4.3 SiO2膜
4.4 其他
５．適用的應用案例
６．總結
（註：臭氧之「高純度」，不一定列入實際簡報介紹內容）
■主講人
亀田 直人／日本明電NPI技術開發部 主管技師 工學博士
活動辦法
■報名洽詢：(02)2536-4647#10吳小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案
-方案A：報名費1,500元（來1贈多，不限人數）。
※1筆報名費提供彩色版講義1本※
※ 贈送免費名額，仍須線上報名。※
※ 請於開課日期【前5天完成繳費】※
※【 匯款ATM繳費】中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※
目前不在報名受理期間