【日本專家】大口徑3C-SiC半導體材料的高導熱率

活動日期
2023/06/02(五),13:00-16:00（北+南+視）

活動資訊
■語言：中文演說。
■內容：
  碳化矽（SiC）是矽原子（Si）和碳原子（C）有規則地互相排列而成，其絕緣性、耐熱性和導熱性皆優於Si，現今已實用化安裝於火車上作為新一代的電源設備材料。SiC 中存在多種原子排列各異的結晶型態(polytype)，如六方晶系(4H、6H等）和立方晶系（3C）等，其中以4H-SiC 和 6H-SiC為主，已被研究開發並投入功率元件的實際應用上。而 3C-SiC的結晶構造比這些都更簡單，預期它應具有更高的導熱率，但根據報導，海外製造的3C-SiC的導熱率 (90 W/m∙K) 仍低於六方晶 (6H- SiC 測得導熱率値為320 W/m∙K)。
  我們使用時域熱反射器法(Time-domain thermoreflector)，評估了 3C-SiC 獨立基板、以及厚度為1μm的3C-SiC薄膜之導熱性。獨立基板取得了超過 500 W/m∙K 的高等向性導熱率。該值是大直徑材料中僅次於鑽石、導熱率第二高的值，超過了用作散熱材料的銅和銀的導熱率(室溫下約為400 W/m∙K)。同時還發現，厚度為1 μm的3C-SiC薄膜，其導熱率高於相同厚度的鑽石。基於以上結果，我們解開了“3C-SiC雖然晶體構造簡單，但導熱性低”這一長期以來的謎團，並證明如理論所言、高結晶度和充分純度的 3C-SiC 具有比六方晶系更高的導熱率。3C-SiC 的成本低於鑽石，並且能夠製造大直徑的晶圓，因此若與其他半導體材料結合，即可獲得高散熱的元件。此外，3C-SiC 可在 Si 上形成結晶體，3C-SiC/Si 界面的導熱率高，有望提高積體電路的性能並應用於光子學。
1.背景
2.高熱導率500 W/m∙K實證詳細解說
3.高純度3C-SiC高結晶性評估
4.熱物性評估
 4-1. 3C-SiC薄膜狀的高熱傳導性
 4-2. 應用於光子封裝用途的3C-SiC低成本大直徑晶圓
5.結論
 
■主講人
日本業界專家／大阪公立大学 工学研究科 教授、准教授
 
            ■地點規劃：
             ✓台南會議室
             ✓線上視訊

活動辦法
■報名洽詢：(02)2536-4647#10張小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案
線上：5,500、3,200、2,800元/1、3、5人
實體：3,600、3,200、2,800元/1、3、5人
※ 請於開課日期【前7天完成繳費】，中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※

 

目前不在報名受理期間

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