【日本專家】ALD開發與選擇2:原料分解、揮發/運輸與低溫ALD狀況

活動日期
2023/12/06(三), 09:00-16:00(南+視)

活動資訊
■語言:日文演說,中文逐步口譯。
■內容
本課題將講述ALD(Atomic Layer Deposition)技術及作為ALD原料的有機金屬化合物的一般特性。說明ALD原料之可揮發原料之開發指引。並將講解多種原料特性及適合ALD用途的特性。同時也會舉例說明關於原料揮發・運輸方式及其問題,並具體介紹其因應方式。另外也將提及現在備受矚目的「遷移金屬薄膜」的ALD原料・成膜、及近年興盛的低溫ALD。最後也會談到今後發展備受期待的ALE(Atomic Layer Eching)及其做為ALD逆工程的應用提案。
1.原料分解
1-1 熱分解:自我分解、大氣氣體 
1-2 分解溫度之調整:低溫化、高溫化 
1-3 保存安定性:保存容器、保存狀態、安定劑 
2.原料的揮發・運輸 
 2-1 蒸氣壓力直接供給:氣體原料、微差壓驅動MFC 
 2-2 Carrier Gas Bubbling:液體原料、溶液原料-A型/B型、蒸氣壓及揮發性
2-3 Direct Liquid Injection:液體原料、溶液原料 
 2-4 原料之同時供給:Pre-reaction、Adduct形成 
3.原料各論 : 3-1原料種類及性質:A型、B型;3-2 元素族別原料性質:1,2族、17族 
4.最新ALD狀況 
 4-1  金屬膜ALD:利用自由基的ALD ; 使用新原料之ALD、利用第3成膜種 
 4-2  Atomic Layer Etching (ALE) :具代表性的案例、ALE的挑戰 
 4-3  低溫ALD:源自TMA的Al2O3、其他的多量體原料、各種原料之室溫反應性比較
 
■主講人
日本業界專家 / 專長於LSI工程開發、CVD、ALD、有機金屬
 
■地點規劃
✓台南會議室
✓線上視訊

 

活動辦法
■報名洽詢:(02)2536-4647#10張小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案:
每位6,800、5,800、5,300元/1、2、3人
※ 請於開課日期【前7天完成繳費】,中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※

目前不在報名受理期間

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