第一天：第1、2、4章 第二天：第3章
◆習得知識
・製造抗蝕劑的知識與材料設計指南
・使用抗蝕劑時的注意事項
・微影製程
・作為材料廠商、抗蝕劑廠商等設備供應商需具備的應對能力
・抗蝕劑材料（酚醛清漆正型抗蝕劑、化學增幅型抗蝕劑）
・製作流程
◆課程主旨
在半導體、LCD等電子設備的製造中，透過多次重複成膜、圖案形成（抗蝕劑塗佈、曝光、顯影）、蝕刻、抗蝕劑剝離、清洗等工序，在基板上形成微細元件圖案的電晶體。這些工序被稱為微影製程，通常需要重複20到30次。
在本課題中，將特別講解光阻劑材料（感光樹脂）和光刻工程，並解釋酚醛清漆正型抗蝕劑和化學增幅型三成分（基礎樹脂、溶解抑制劑、產酸劑）正型抗蝕劑的化學成分和光阻特性之間的關係。
此外，也將從原設備製造商的角度，詳解抗蝕劑製造商提供原材料的材料商評估抗蝕劑的具體方法。
◆目次大綱
一、光阻劑基礎知識及微影製程講解
1-1. 介紹光阻劑
1-2. 關於微影
1-3. 光阻劑塗佈、曝光、曝光後烘烤 (PEB) 和顯影過程
二、抗蝕劑設計的演變及其作用機制
2-1. 半導體和電子設備的發展以及抗蝕劑設計的演變
2-2. 抗蝕劑的基本原理
2-3. 抗蝕劑的顯影特性
2-4. 關於抗蝕劑與Si基板的密合性
三、酚醛清漆正型抗蝕劑的材料設計
3-1. 使用抗蝕劑顯影分析儀 (RDA) 評估顯影特性
3-2. 酚醛清漆正型抗蝕劑的分子量與抗蝕劑特性的關係
3-3. 透過改變酚醛清漆正型抗蝕劑的預烤 (Pre-bake) 溫度來評估抗蝕劑特性
3-4. 改變了感光劑 (PAC) 酯化率的酚醛清漆正型抗蝕劑的特性
3-5. 酚醛清漆正型抗蝕劑的顯影溫度與光阻特性的關係
四、化學增幅正型抗蝕劑的材料設計
4-1. 化學增幅正型三成分抗蝕劑的基礎樹脂與光阻特性
・基礎樹脂
・溶解抑制劑
・產酸劑
4-2. 化學增幅正型三成分抗蝕劑的溶解抑制劑及光阻特性
4-3. 化學增幅正型三成分抗蝕劑的產酸劑及光阻特性
4-4. EUV抗蝕劑的發展
4-5. i線厚膜抗蝕劑的發展