活動日期
2023/11/29(三),09:00-16:00(南+視)
活動資訊
■語言：日文演說，中文逐步口譯。
■內容：
本課題將講述ALD（Atomic Layer Deposition）技術及作為ALD原料的有機金屬化合物的一般特性。說明ALD原料之可揮發原料之開發指引。並將講解多種原料特性及適合ALD用途的特性。同時也會舉例說明關於原料揮發・運輸方式及其問題，並具體介紹其因應方式。另外也將提及現在備受矚目的「遷移金屬薄膜」的ALD原料・成膜、及近年興盛的低溫ALD。最後也會談到今後發展備受期待的ALE(Atomic Layer Eching)及其做為ALD逆工程的應用提案。
１．序論
1-1 氣相成長原料之今昔
1-2 氣相成長技術之使用
２．ALD原理
2-1 化學吸附與ALD循環：TMA與H2O ； H2O不反應之原料 ； ALD循環的初期層
2-2 非化學吸附的ALD循環：物理吸附及ALD循環 ； 問題點
３．原料基礎
3-1 有機金屬原料：何謂有機金屬 ； 有機金屬的合成方法、實際應用
４．原料的分子設計
4-1 揮發性：有機金屬結合型 ； 共有結合型有機金屬 ； 離子結合型有機金屬 ； 蒸氣壓值提升方法 ； 蒸氣壓值測定方法
4-2 低融點：共有結合與離子結合 ； 低融點化
4-3 分子軌道計算：分子間作用力 ； 成長模擬
５．原料的安全性
5-1 消防法危險物：引火性 ； 發火性 ； 與水的反應性 ； 爆發性
5-2 毒性：急性毒性・慢性毒性 ； 需特別注意的原料
６．原料製造
6-1 量産性
6-2 成本
■主講人
日本業界專家 / 專長於LSI工程開發、CVD、ALD、有機金屬
■地點規劃：
✓台南會議室
✓線上視訊
活動辦法
■報名洽詢：(02)2536-4647#10張小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案：
每位6,800、5,800、5,300元/1、2、3人
※ 請於開課日期【前7天完成繳費】，中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※
目前不在報名受理期間