【台日專家】第四代半導體氧化鎵技術開發動向

活動日期
2023/03/24+04/13(五)(四),09:00-16:00（北+南）

活動資訊
■語言：日文演說，中文逐步口譯。
■內容：
一、氧化鎵(Ga2Ｏ3)最新動向(3月24日 09:00-12:00)
  氧化鎵(β-Ga2O3)因具有強大絕緣破壞電界強度及可使高品質單晶基板製造成本降低的特色，使其被視為新世代功率元件材料而備受矚目。本課題將介紹開發中的β-Ga2O3單晶基板、磊晶成長、蕭特基二極體、電晶體的最新狀況。
　1．β-Ga2O3功率元件的魅力
　2．單晶基板、磊晶成長技術
　　　2.1 四英吋單晶基板
　　　2.2 四英吋磊晶晶圓
　3．功率元件的應用
　　　3.1 蕭特基二極體
　　　3.2 電晶體
 
二、第四代半導體Ga203技術原理,優勢與產業前景相關議題(3月24日 13:00-16:00)
  儘管以Si基板為主的元件已經主導目前科技產業之IC與相關之電子元件，此類產品仍存在與面臨許多極限，無論在高功率或是高頻元件與系統，除了不斷精進結構設計外，新興材料亦推陳出新。特別是第三代半導體以SiC與GaN為主之高功率元件與系統，在大電力與高頻元件上被賦予重任，其相關之應用已陸續應用在相關之產業。儘管如此，被視為第四代之超寬能隙氧化鎵(Ga2O3)和鑽石等新一代材料，特別是Ga2O3因為其基板製作相較於SiC與GaN製作容易，又因為其超寬能隙的特性，使材料所能承受更高電壓的崩潰電壓和臨界電場， 其在超高功率元件之應用潛力不容小覷。本次演講內容將針對第四代半導體Ga203技術原理,優勢與產業前景相關議題進行說明與研究分享。
 
三、氧化鎵材料與功率元件的技術開發動向(4月13日 09:00-16:00)
  氧化鎵(Ga2O3)，作爲新一代功率元件用途的新半導體材料，具有值得期待的優秀材料物性。此外，利用熔液成長法的原理，可以廉價而簡易地製作大口徑、高品質的單晶基板，在產業上具有巨大的魅力。由於這些特點，Ga2O3作爲繼SiC、GaN之後新一代功率元件的候選材料，目前備受關注。本課題將敘述Ga2O3功率元件的定位與魅力、迄今爲止的外延薄膜生長 (epitaxial thin film)、元件(電晶體transistor、肖特基二極體Schottky barrier diodes)之研究開發狀況、今後的課題及展望等。
  一、前言 
    1-1. Ga2O3的材料特徵(與SiC、GaN比較) 
    1-2. Ga2O3元件未來的用途 
  二、Ga2O3 塊體熔液生長技術 
  三、Ga2O3外延薄膜生長技術 
    3-1. MBE成長 
    3-2. HVPE成長 
    3-3. MOCVD成長 
  四、Ga2O3 電晶體開發 
    4-1. 橫型FET
    4-2. 縱型FET 
  五、Ga2O3肖特基二極體(SBD)開發 
    5-1. 垂直場板SBD (Vertical field plate) 
    5-2. 垂直保護環SBD (Vertical guard ring) 
  六、總結，今後的課題
 
■主講人
一、日本業界專家  
二、台灣學研專家  
三、日本學研專家 
 
■地點規劃：
✓台北會議室
✓台南會議室（翻譯員）
※辦理方式將視疫情等狀況，滾動式調整授課方式

 

活動辦法
■報名洽詢：(02)2536-4647#10張小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案：
原價12,800元/人，政府補助6,000元，學員自付6,800元、6,400元、6,000元/1、2、3人
※ 請於開課日期【前7天完成繳費】，中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※
 
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