【日本專家】半導體抗蝕劑的特性、材料設計及其評價

活動日期
2024/04/16+04/23(二),09:30-16:30（北+南+視）

活動資訊
■語言：日文演說，中文逐步口譯。
■內容：
 
第一天：第1、2、4章 第二天：第3章
 
◆習得知識
・製造抗蝕劑的知識與材料設計指南
・使用抗蝕劑時的注意事項
・微影製程
・作為材料廠商、抗蝕劑廠商等設備供應商需具備的應對能力
・抗蝕劑材料（酚醛清漆正型抗蝕劑、化學增幅型抗蝕劑）
・製作流程
 
◆課程主旨
在半導體、LCD等電子設備的製造中，透過多次重複成膜、圖案形成（抗蝕劑塗佈、曝光、顯影）、蝕刻、抗蝕劑剝離、清洗等工序，在基板上形成微細元件圖案的電晶體。這些工序被稱為微影製程，通常需要重複20到30次。
在本課題中，將特別講解光阻劑材料（感光樹脂）和光刻工程，並解釋酚醛清漆正型抗蝕劑和化學增幅型三成分（基礎樹脂、溶解抑制劑、產酸劑）正型抗蝕劑的化學成分和光阻特性之間的關係。
此外，也將從原設備製造商的角度，詳解抗蝕劑製造商提供原材料的材料商評估抗蝕劑的具體方法。
 
◆目次大綱
一、光阻劑基礎知識及微影製程講解
1-1. 介紹光阻劑
1-2. 關於微影
1-3. 光阻劑塗佈、曝光、曝光後烘烤 (PEB) 和顯影過程
二、抗蝕劑設計的演變及其作用機制
2-1. 半導體和電子設備的發展以及抗蝕劑設計的演變
2-2. 抗蝕劑的基本原理
2-3. 抗蝕劑的顯影特性
2-4. 關於抗蝕劑與Si基板的密合性
三、酚醛清漆正型抗蝕劑的材料設計
3-1. 使用抗蝕劑顯影分析儀 (RDA) 評估顯影特性
3-2. 酚醛清漆正型抗蝕劑的分子量與抗蝕劑特性的關係
3-3. 透過改變酚醛清漆正型抗蝕劑的預烤 (Pre-bake) 溫度來評估抗蝕劑特性
3-4. 改變了感光劑 (PAC) 酯化率的酚醛清漆正型抗蝕劑的特性
3-5. 酚醛清漆正型抗蝕劑的顯影溫度與光阻特性的關係
四、化學增幅正型抗蝕劑的材料設計
4-1. 化學增幅正型三成分抗蝕劑的基礎樹脂與光阻特性
・基礎樹脂
・溶解抑制劑
・產酸劑
4-2. 化學增幅正型三成分抗蝕劑的溶解抑制劑及光阻特性
4-3. 化學增幅正型三成分抗蝕劑的產酸劑及光阻特性
4-4. EUV抗蝕劑的發展
4-5. i線厚膜抗蝕劑的發展
 
■主講人
三菱電機(株)先端技総研 主席研究員（己退休）
 
            ■地點規劃：
            ✓台北會議室
            ✓台南會議室
            ✓線上視訊

活動辦法
■優惠方案
政府補助，學員自付8,085元、7,665元、7,245元/1、2、3人
※參加線上視訊，限【2位以上】團報。
※額外加價840元，升級彩色版講義。
※請於開課日期【前7天完成繳費】，中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※
 
團報表請來信索取，洽詢02-25364647張竟研小姐（sumken@sum-ken.com）

 

目前不在報名受理期間

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