【日本專家】ALD技術原理及原料開發・選擇

活動日期
2023/05/30+31(二)(三),09:30-16:30(北+南)

活動資訊
■語言:日文演說,中文逐步口譯。
■內容
本課題將講述ALD(Atomic Layer Deposition)技術及作為ALD原料的有機金屬化合物的一般特性。說明ALD原料之可揮發原料之開發指引。並將講解多種原料特性及適合ALD用途的特性。同時也會舉例說明關於原料揮發・運輸方式及其問題,並具體介紹其因應方式。另外也將提及現在備受矚目的「遷移金屬薄膜」的ALD原料・成膜、及近年興盛的低溫ALD。最後也會談到今後發展備受期待的ALE(Atomic Layer Eching)及其做為ALD逆工程的應用提案。
1.序論 
 1-1 氣相成長原料之今昔 
 1-2 氣相成長技術之使用 
2.ALD原理 
 2-1 化學吸附與ALD循環:TMA與H2O ; H2O不反應之原料 ; ALD循環的初期層 
 2-2 非化學吸附的ALD循環:物理吸附及ALD循環 ; 問題點
3.原料基礎 
 3-1 有機金屬原料:何謂有機金屬 ; 有機金屬的合成方法、實際應用 
4.原料的分子設計 
 4-1 揮發性:有機金屬結合型 ; 共有結合型有機金屬 ; 離子結合型有機金屬 ; 蒸氣壓值提升方法 ; 蒸氣壓值測定方法 
 4-2 低融點:共有結合與離子結合 ; 低融點化
4-3 分子軌道計算:分子間作用力 ; 成長模擬
5.原料的安全性 
 5-1 消防法危險物:引火性 ; 發火性 ; 與水的反應性 ; 爆發性 
 5-2 毒性:急性毒性・慢性毒性 ; 需特別注意的原料 
6.原料製造 
 6-1 量産性 
 6-2 成本 
7.原料分解 
 7-1 熱分解:自我分解 ; 大氣氣體 
7-2 分解溫度之調整:低溫化 ; 高溫化 
7-3 保存安定性:保存容器 ; 保存狀態 ; 安定劑 
8.原料的揮發・運輸 
 8-1 蒸氣壓力直接供給:氣體原料 ; 微差壓驅動MFC 
 8-2 Carrier Gas Bubbling:液體原料 ; 溶液原料-A型/B型 ; 蒸氣壓及揮發性
8-3  Direct Liquid Injection:液體原料 ; 溶液原料 
 8-4 原料之同時供給:Pre-reaction ; Adduct形成 
9.原料各論 
 9-1 原料種類及性質:A型 ; B型 
 9-2 元素族別原料性質:1,2族 ; 17族 
10.最新ALD狀況 
 10-1  金屬膜ALD:利用自由基的ALD ; 使用新原料之ALD ; 利用第3成膜種 
 10-2  Atomic Layer Etching (ALE) :具代表性的案例 ; ALE的挑戰 
 10-3  低溫ALD:源自TMA的Al2O3 ; 其他的多量體原料 ; 各種原料之室溫反應性比較
 
■主講人
日本業界專家 / 專長於LSI工程開發、CVD、ALD、有機金屬
 
■地點規劃
✓台北會議室(翻譯員)
✓台南會議室
※辦理方式將視疫情等狀況,滾動式調整授課方式

 

活動辦法
■報名洽詢:(02)2536-4647#10張小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案:
原價12,800元/人,政府補助6,000元,學員自付6,800、6,400、6,000元/1、2、3人
※ 請於開課日期【前7天完成繳費】,中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※

目前不在報名受理期間

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