【日本專家】ALD技術原理及原料開發・選擇

活動日期
2023/05/30+31(二)(三),09:30-16:30（北+南）

活動資訊
■語言：日文演說，中文逐步口譯。
■內容：
本課題將講述ALD（Atomic Layer Deposition）技術及作為ALD原料的有機金屬化合物的一般特性。說明ALD原料之可揮發原料之開發指引。並將講解多種原料特性及適合ALD用途的特性。同時也會舉例說明關於原料揮發・運輸方式及其問題，並具體介紹其因應方式。另外也將提及現在備受矚目的「遷移金屬薄膜」的ALD原料・成膜、及近年興盛的低溫ALD。最後也會談到今後發展備受期待的ALE(Atomic Layer Eching)及其做為ALD逆工程的應用提案。
１．序論 
　1-1　氣相成長原料之今昔 
　1-2　氣相成長技術之使用 
２．ALD原理 
　2-1　化學吸附與ALD循環：TMA與H2O ； H2O不反應之原料 ； ALD循環的初期層 
　2-2　非化學吸附的ALD循環：物理吸附及ALD循環 ； 問題點
３．原料基礎 
　3-1　有機金屬原料：何謂有機金屬 ； 有機金屬的合成方法、實際應用 
４．原料的分子設計 
　4-1　揮發性：有機金屬結合型 ； 共有結合型有機金屬 ； 離子結合型有機金屬 ； 蒸氣壓值提升方法 ； 蒸氣壓值測定方法 
　4-2　低融點：共有結合與離子結合 ； 低融點化
4-3　分子軌道計算：分子間作用力 ； 成長模擬
５．原料的安全性 
　5-1　消防法危險物：引火性 ； 發火性 ； 與水的反應性 ； 爆發性 
　5-2　毒性：急性毒性・慢性毒性 ； 需特別注意的原料 
６．原料製造 
　6-1　量産性 
　6-2　成本 
７．原料分解 
　7-1　熱分解：自我分解 ； 大氣氣體 
7-2　分解溫度之調整：低溫化 ； 高溫化 
7-3　保存安定性：保存容器 ； 保存狀態 ； 安定劑 
８．原料的揮發・運輸 
　8-1　蒸氣壓力直接供給：氣體原料 ； 微差壓驅動MFC 
　8-2　Carrier Gas Bubbling：液體原料 ； 溶液原料-A型/B型 ； 蒸氣壓及揮發性
8-3　 Direct Liquid Injection：液體原料 ； 溶液原料 
　8-4　原料之同時供給：Pre-reaction ； Adduct形成 
９．原料各論 
　9-1　原料種類及性質：A型 ； B型 
　9-2　元素族別原料性質：1,2族 ； 17族 
１０．最新ALD狀況 
　10-1  金屬膜ALD：利用自由基的ALD ； 使用新原料之ALD ； 利用第３成膜種 
　10-2  Atomic Layer Etching (ALE) ：具代表性的案例 ； ALE的挑戰 
　10-3  低溫ALD：源自TMA的Al2O3 ； 其他的多量體原料 ； 各種原料之室溫反應性比較
 
■主講人
日本業界專家 / 專長於LSI工程開發、CVD、ALD、有機金屬
 
■地點規劃：
✓台北會議室（翻譯員）
✓台南會議室
※辦理方式將視疫情等狀況，滾動式調整授課方式

 

活動辦法
■報名洽詢：(02)2536-4647#10張小姐(電子郵箱sumken@sum-ken.com)
■優惠方案：
原價12,800元/人，政府補助6,000元，學員自付6,800、6,400、6,000元/1、2、3人
※ 請於開課日期【前7天完成繳費】，中國信託銀行(822)城北分行 657-540116548三建資訊有限公司※
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